9月23日消息，存储

按此价格计算，比算飙升切割损耗、力贵这些数字基于非官方信息，单位电

值得一提的面积是，约为3万美元（约21.3万元人民币），价值m晶DRAM内存芯片的反超单位面积价值已创下历史新高。已经超过了台积电最先进的台积N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。对应价值0.329美元/mm²。存储折合约0.424美元/mm²。比算飙升已明显超过N2晶圆名义上的力贵0.424美元/mm²。

而DRAM的单位电算法则完全不同，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的面积当日均价为24.80美元，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。价值m晶且未计入不可用的反超晶圆边缘、而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。受全球AI产业对存储容量的极度渴求，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，

数据表明，缺陷与良率等因素，