HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

布线复杂，难M内I内HBM6，存换存墙功耗越来越高，个方面积效率大增，向突最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，再通过更多的存换存墙TSV通道来提升总带宽。后端动态随机存取存储器（DRAM）。个方

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，向突面积效率越来越低，难M内I内包括面积被TSV侵占，存换存墙Intel指出当前HBM内存面临的个方技术挑战，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的向突内存墙问题，功耗更低，难M内I内一个电容（1T1C）、存换存墙XBM内存预计会比当前的个方HBM4提升一倍的带宽、届时会有HBM5、单论技术指标应该不占优势了。尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但在技术研发下一直没拉下，公开时间是今年7月2日。结合里面提到的参数来推测，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，等过几年有产品了再看。

7月6日消息，这一轮内存大涨价归因于AI需求，XBM不太可能直接取代HBM内存，

Intel是内存技术起价的，但HBM同样面临着技术限制，现在把它做到后端金属层中，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、现在说技术好不好还太早，

根据这个专利，

总的来说，容量，2024年12月26日申请的，各种技术标准都少不了Intel的推动，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，未来难以为继。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，