同质外延晶格完美匹配衬底，国外晶体缺陷密度大幅优化。中国至少海外厂商无法实现6英寸及以上同质外延商业化供货。半导部分合作客户已开展长期稳定采购。体弯条英该产线依托企业自研的道超铸造法单晶长晶技术与定制化MOCVD外延工艺。该产线产出的车全寸氧外延片厚度超过10微米，

在此之前，球首

氧化镓适配800V车载快充、无需新建专属产线。本次产线投产正式推动氧化镓从实验室研发迈入商业化批量供货阶段。衬底单片成本降幅超过80%，

小尺寸晶圆单批芯片产出少、膜厚均匀性方差低于1%，全球首条兼容6英寸与8英寸的氧化镓同质外延量产线正式全面投产。

工艺数据显示，可充分释放氧化镓超高耐压、自研铸造法可稳定生长超厚氧化镓晶体，杭州镓仁半导体近日宣布，

技术层面，难以适配新能源、全球氧化镓产业长期受限于2至4英寸小尺寸产能瓶颈，这标志着我国第四代超宽禁带半导体材料实现规模化量产重大突破。技术水平领先海外同类方案至少三年。

配合超薄衬底加工技术，单块晶体的出片量提升至传统工艺的3到4倍。低导通损耗的材料优势。

7月6日消息，

8英寸工艺已同步完成技术验证并预留扩产空间，

首批6英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆已同步交付国内头部晶圆厂开展器件试样验证。

目前多家海外企业及科研机构已陆续下单，这条兼容产线可直接复用国内现有成熟晶圆制造设备，衬底加工到同质外延的全流程量产链路。